最大的风暴眼，并非来自性能，而是直指Galaxy Ultra系列的灵魂——S Pen。有传闻称，为了追求更极致的轻薄机身，并为设备集成完整的Qi2磁吸无线充电功能（类似苹果的MagSafe），三星可能正在考虑一项颠覆性的设计：移除屏幕下方的S Pen电磁数位板。这块数位板是实现当前S Pen精准书写和悬浮指令的核心硬件。移除它，意味着可以释放出宝贵的内部空间，让机身变得更薄，同时容纳下磁吸充电所需的线圈模组。这无疑是激进的，它挑战了Ultra系列长久以来建立的用户认知。但这是否意味着S Pen的终结？或许不会。三星可能正在研发一种无需传统数位板的新型手写笔技术，但这无疑是一次巨大的赌博，一次对核心用户使用习惯的重新定义。

与形态上的巨大争议相比，性能核心的升级则显得顺理成章。几乎可以确定，Galaxy S26 Ultra将再次奉行双芯战略。大部分市场将迎来高通下一代的旗舰平台，或被命名为“骁龙8 Gen 5”，其将采用更先进的制程工艺和全新的CPU架构，为AI计算和游戏性能提供更澎湃的动力。而在欧洲等特定市场，三星自家的Exynos 2600芯片也将登场，据称将首次采用2nm制程，其能效表现和追赶高通的决心值得期待。无论搭载哪款芯片，配合至少12GB起步的RAM，S26 Ultra的性能王座依旧稳固。